000 06115namaa22004211i 4500
003 OSt
005 20250520153518.0
008 250520s2024 ua a|||frm||| 000 0 eng d
040 _aEG-GICUC
_beng
_cEG-GICUC
_dEG-GICUC
_erda
041 0 _aeng
_beng
_bara
049 _aDeposit
082 0 4 _a620.5
092 _a620.5
_221
097 _aM.Sc
099 _aCai01.13.15.M.Sc.2024.Am.U
100 0 _aAmr Waleed AbdulRaof Shalaby,
_epreparation.
245 1 4 _aThe use of quantum dots in enhancing the efficiency of solar cells /
_cby Amr Waleed AbdulRaof Shalaby ; Supervisors Prof. Dr. Nadia H. Rafat, Dr. Tamer A. Ali.
246 1 5 _aاستخدام النقاط الكمية في تحسين كفاءة الخلايا الشمسية /
264 0 _c2024.
300 _a91 pages :
_billustrations ;
_c30 cm. +
_eCD.
336 _atext
_2rda content
337 _aUnmediated
_2rdamedia
338 _avolume
_2rdacarrier
502 _aThesis (M.Sc)-Cairo University, 2024.
504 _aBibliography: pages 81-91.
520 _aThis thesis focuses on investigating InAs/GaAs quantum dot intermediate band solar cells (QD-IBSCs), a relatively mature QDSC technology. Based on our findings, we propose an alternative material system, InP/InGaP QD-IBSC, showcasing properties that position it as a viable substitute to InAs/GaAs. The InP-InGaP interface, with a wider conduction band barrier, is expected to preserve the open-circuit voltage (Voc) more effectively. Additionally, the type-II band alignment of InP QDs in InGaP suggests lower recombination rates, potentially increasing photocurrent levels with higher QD layer counts. We investigated the use of InP QDs in the InGaP junction in an InGaP/GaAs dual-junction solar cell (DJSC). Our focus is pivoted around understanding the bandgap engineering introduced by the QDs, scrutinizing carrier wavefunctions, bound concentrations, and recombination profiles. Electric field calculations provide insights into carrier extraction efficiency, and external quantum efficiency (EQE) figures are examined to confirm or refute the absorption of sub-bandgap photons by the addition of the QDs. Our research found that using three layers of InP QDs embedded in the i-region of the InGaP junction in an InGaP/GaAs DJSC would increase the overall conversion efficiency enhancement of 9.76%. Through meticulous study and analysis, our research aims to shed the light on the potential of QDs in the implementation of IBSCs, marking a significant milestone in enhancing solar cell efficiency and bolstering their competitiveness against conventional energy sources.
520 _aتركز هذه الرسالة على دراسة خصائص الخلايا الشمسية التي تحتوي على نطاق طاقة وسطي باستخدام النقاط الكمية (QD-IBSCs) من مادة InAs في خلايا شمسية من مادة GaAs، وهي تكنولوجيا حديثة نسبياً للخلايا الشمسية التي تستخدم نقاط الكم. بناءً على النتائج التي حصلنا عليها، اقترحنا نظام مواد بديل، وهو نظام نقاط كمية من مادة InP في خلايا شمسية من مادة InGaP لتكوين خلايا شمسية ذات نطاق وسطي. يظهر هذا النظام خصائص تجعله بديلاً جديرًا بالاهتمام لنظام الـ InAs/GaAs. تحافظ واجهة InP-InGaP (والتي تمتلك حاجز طاقة أوسع) على جهد الدائرة المفتوحة (Voc) بشكل أكثر فعالية. بالإضافة إلى ذلك، يشير اصطفاف النطاق من النوع II الظاهر بين النقاط الكمية لمادة الـ InP مع مادة الـ InGaP إلى معدلات إعادة اتحاد أقل، مما يزيد من مستويات التيار الكهروضوئي مع زيادة عدد طبقات نقاط الكم. قمنا بدراسة استخدام نقاط الكم من مادة InP في وصلة الـ InGaP في خلية شمسية ثنائية الوصلات InGaP/GaAs. يتمحور تركيز دراستنا حول فهم هندسة فجوة نطاق الطاقة التي تم إدخالها بواسطة نقاط الكم، مع التحقق من دوال الموجة لناقلات الشحنات وتركيزات ناقلات الشحنات المقيدة داخل النقاط الكمية وتشكيلات إعادة الاتحاد. توفر حسابات المجال الكهربي رؤية أوضح حول كفاءة استخراج ناقلات الشحنات، ويتم فحص أرقام الكفاءة الكمية الخارجية (EQE) لتأكيد أو نفي امتصاص الفوتونات ذات الطاقة الأقل من فجوة نطاق الطاقة بإضافة نقاط الكم. وجدنا أن دمج ثلاث طبقات من النقاط الكمية من نوع InP في وصلة الـ InGaP في خلية شمسية ثنائية الوصلات InGaP/GaAs يؤدي إلى تحسن ملموس في كفاءة التحويل بمقدار 9,76%. من خلال دراستنا وتحليلنا الدقيق، يهدف بحثنا إلى إلقاء الضوء على إمكانيات نقاط الكم في تنفيذ خلايا شمسية ذات نطاق وسطي. وإلى تحقيق خطوة مهمة في تعزيز كفاءة الخلية الشمسية وتعزيز قدرتها على المنافسة مع مصادر الطاقة التقليدية
530 _aIssues also as CD.
546 _aText in English and abstract in Arabic & English.
650 7 _aNanotechnology
_2qrmak
653 0 _aQuantum Dots
_aSolar Cells
_aSimulation
_a Intermediate band
700 0 _aNadia H. Rafat
_ethesis advisor.
700 0 _aTamer A. Ali
_ethesis advisor.
900 _b01-01-2024
_cNadia H. Rafat
_cTamer A. Ali
_dAhmed Nader Mohieldin
_dAdel Helmy Phillips
_UCairo University
_FFaculty of Engineering
_DDepartment of Advanced Materials and Nano-Materials
905 _aShimaa
942 _2ddc
_cTH
_e21
_n0
999 _c172236