Non-uniform triple silicon quantum dots effects on the single electron transistor performance / by Sherif Mohamed Tawfik ElSayed ; Supervisors: Prof. Dr. M. Sameh Said, Prof. Dr. Nadia Hussein Rafat, Dr. Nihal Yassin Mohamed.
Material type:
TextLanguage: English Summary language: English, Arabic Producer: 2024Description: 2024 pages : illustrations ; 30 cm. + CDContent type: - text
- Unmediated
- volume
- تأثير نقاط السيليكون الكمية الثلاثية الغير متماثلة على أداء الترانزيستور ذي الإلكترون الواحد [Added title page title]
- 620.5
- Issues also as CD.
| Item type | Current library | Home library | Call number | Status | Barcode | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Thesis
|
قاعة الرسائل الجامعية - الدور الاول | المكتبة المركزبة الجديدة - جامعة القاهرة | Cai01.13.15.M.Sc.2024.Sh.N (Browse shelf(Opens below)) | Not for loan | 01010110091987000 |
Browsing المكتبة المركزبة الجديدة - جامعة القاهرة shelves Close shelf browser (Hides shelf browser)
| No cover image available | No cover image available | No cover image available | No cover image available | No cover image available | No cover image available | No cover image available | ||
| Cai01.13.15.M.Sc.2024.Mo.D Design of photonic crystal fiber for dispersion compensation and supercontinuum generation for CWDM/DWDM systems / | Cai01.13.15.M.Sc.2024.Mo.M Molecular dynamics study for piezoelectric response of nanoscale polyvinylidene fluoride (PVDF) fibers for energy harvesting applications / | Cai01.13.15.M.Sc.2024.Sh.N. New designs of interference-based all optical photonic crystal encoders and half adders / | Cai01.13.15.M.Sc.2024.Sh.N Non-uniform triple silicon quantum dots effects on the single electron transistor performance / | Cai01.14.01.M.Sc..2021.سا.ش شجرة الحياة فى الفنون الإسلامية : دراسة آثارية فنية مقارنة / | Cai01.14.01.M.Sc..2021.سا.ش شجرة الحياة فى الفنون الإسلامية : دراسة آثارية فنية مقارنة / | Cai01.14.01.M.Sc.1974.جل.ع عمائر السلطان قايتباى فى بيت المقدس / |
Thesis (M.Sc)-Cairo University, 2024.
Bibliography: pages 79-85.
Maintaining Moore’s law requires continuous new ideas. In this study, we focus on investigating the impact of varying the sizes of silicon quantum dots (QDs) and the distances between them inside the substrate to obtain the best single electron transistor (SET) performance. We assume precise control over the QDs within the nanometer scale, which is not yet reached by fabrication. Our approach validation involves modeling SETs with single, double and triple Si QDs. Finally, we reconstruct a SET design with triple Si QDs having previously published valid results to explore the effects of asymmetric Si QDs on its performance under two broadening cases. So, we can determine the best SET performance for each case and its overall best performance.
يتطلب الحفاظ على قانون مور وجود أفكار جديدة مستمرة. في هذه الدراسة، نركز على التحقيق في تأثير تغيير أحجام النقاط الكمية السيليكونية والمسافات بينها داخل الطبقة الأساسية للحصول على أفضل أداء للترانزيستور الذي يعمل بإلكترون واحد. نفترض أننا قادرون على التحكم بأحجام هذه النقاط الكمية بدقة داخل الطبقة الأساسية في مقياس النانومتر، وهو ما لم يتم تحقيقه بعد من خلال عمليات التصنيع. نقوم أولاً بنمذجة ترانزيستورات تعمل بإلكترون واحد مع النقاط الكمية السيليكونية، بما في ذلك النقطة الكمية الواحدة، والنقطتين الكميتين، والثلاث نقاط الكمية. أخيرا، نعيد بناء تصميم ترانزيستور يحتوي على ثلاث نقاط كمية سيليكونية له نتائج منشورة سابقة صالحة لإستكشاف تأثيرات نقاط الكم السيليكونية غير المتماثلة على أداؤه تحت حالتي توسيع. بذلك، يمكننا تحديد أفضل أداء للترانزيستور الذي يعمل بإلكترون واحد في كل حالة واختيار الأداء الأفضل عمومًا.
Issues also as CD.
Text in English and abstract in Arabic & English.
There are no comments on this title.